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傳統(tǒng)的RCA清洗技術(shù)：

所用清洗裝置大多是多槽浸泡式清洗系統(tǒng)
　　清洗工序： SC-1 → DHF → SC-2
　　1. SC-1清洗去除顆粒：
⑴ 目的：主要是去除顆粒沾污（粒子）也能去除部分金屬雜質(zhì)。
⑵ 去除顆粒的原理：
　　硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6nm呈親水性），該氧化膜又被NH4OH腐蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗液內(nèi)。
① 自然氧化膜約0.6nm厚，其與NH4OH、H2O2濃度及清洗液溫
度無關(guān)。
② SiO2的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無關(guān)。
③ Si的腐蝕速度，隨NH4OH的濃度升高而快，當?shù)竭_某一濃度后為一定值，H2O2濃度越高這一值越小。
④ NH4OH促進腐蝕，H2O2阻礙腐蝕。
⑤ 若H2O2的濃度一定，NH4OH濃度越低，顆粒去除率也越低，如果同時降低H2O2濃度,可抑制顆粒的去除率的下降。
⑥ 隨著清洗洗液溫度升高，顆粒去除率也提高，在一定溫度下可達最大值。
⑦ 顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關(guān)，為確保顆粒的去除要有一 定量以上的腐蝕。
⑧ 超聲波清洗時，由于空洞現(xiàn)象，只能去除 ≥ 0.4 μm 顆粒。兆聲清洗時，由于0.8Mhz的加速度作用，能去除 ≥ 0.2 μm 顆粒，即使液溫下降到40℃也能得到與80℃超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲洗晶片產(chǎn)生損傷。
⑨ 在清洗液中，硅表面為負電位，有些顆粒也為負電位，由于兩者的電的排斥力作用，可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附。
　　⑶. 去除金屬雜質(zhì)的原理：
① 由于硅表面的氧化和腐蝕作用，硅片表面的金屬雜質(zhì)，將隨腐蝕層而進入清洗液中，并隨去離子水的沖洗而被排除。
② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗時發(fā)生氧化反應(yīng)，生成氧化物的自由能的絕對值大的金屬容易附著在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上。而Ni、Cu則不易附著。
③ Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有時會附著在自然氧化膜上。
④ 實驗結(jié)果：
a. 據(jù)報道如表面Fe濃度分別是1011、1012、1013 原子/cm2三種硅片放在SC-1液中清洗后，三種硅片Fe濃度均變成1010 原子/cm2。若放進被Fe污染的SC-1清洗液中清洗后，結(jié)果濃度均變成1013/cm2。
b. 用Fe濃度為1ppb的SC-1液，不斷變化溫度，清洗后硅片表面的Fe濃度隨清洗時間延長而升高。
　　對應(yīng)于某溫度洗1000秒后，Fe濃度可上升到恒定值達1012~4×1012 原子/cm2。將表面Fe濃度為1012 原子/cm2硅片，放在濃度為1ppb的SC-1液中清洗，表面Fe濃度隨清洗時間延長而下降，對應(yīng)于某一溫度的SC-1液洗1000秒后，可下降到恒定值達4×1010~6×1010 原子/cm2。這一濃度值隨清洗溫度的升高而升高。
　　從上述實驗數(shù)據(jù)表明：硅表面的金屬濃度是與SC-1清洗液中的金屬濃度相對應(yīng)。晶片表面的金屬的脫附與吸附是同時進行的。
　　即在清洗時，硅片表面的金屬吸附與脫附速度差隨時間的變化到達到一恒定值。
　　以上實驗結(jié)果表明：清洗后硅表面的金屬濃度取決于清洗液中的金屬濃度。其吸附速度與清洗液中的金屬絡(luò)合離子的形態(tài)無關(guān)。
c. 用Ni濃度為100ppb的SC-1清洗液，不斷變化液溫，硅片表面的Ni濃度在短時間內(nèi)到達一恒定值、即達1012~3×1012原子/cm2。這一數(shù)值與上述Fe濃度1ppb的SC-1液清洗后表面Fe濃度相同。
　　這表明Ni脫附速度大，在短時間內(nèi)脫附和吸附就達到平衡。
⑤ 清洗時，硅表面的金屬的脫附速度與吸附速度因各金屬元素的不同而不同。特別是對Al、Fe、Zn。若清洗液中這些元素濃度不是非常低的話，清洗后的硅片表面的金屬濃度便不能下降。對此，在選用化學(xué)試劑時，按要求特別要選用金屬濃度低的超純化學(xué)試劑。
例如使用美國Ashland試劑，其CR-MB級的金屬離子濃度一般是：H2O2 ＜10ppb 、HCL ＜10ppb、NH4OH ＜10ppb、H2SO4＜10ppb
⑥ 清洗液溫度越高，晶片表面的金屬濃度就越高。若使用兆聲波清洗可使溫度下降，有利去除金屬沾污。
⑦ 去除有機物。
由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有機物被分解成CO2、H2O而被去除。
⑧ 微粗糙度。
晶片表面Ra與清洗液的NH4OH組成比有關(guān)，組成比例越大，其Ra變大。Ra為0.2nm的晶片,在NH4OH: H2O2: H2O =1:1:5的SC-1液清洗后，Ra可增大至0.5nm。為控制晶片表面Ra，有必要降低NH4OH的組成比，例用0.5:1:5
⑨ COP（晶體的原生粒子缺陷）。
對CZ硅片經(jīng)反復(fù)清洗后，經(jīng)測定每次清洗后硅片表面的顆粒 ≥2 μm 的顆粒會增加，但對外延晶片，即使反復(fù)清洗也不會使 ≥0.2 μm 顆粒增加。據(jù)近幾年實驗表明，以前認為增加的粒子其實是由腐蝕作用而形成的小坑。在進行顆粒測量時誤將小坑也作粒子計入。
小坑的形成是由單晶缺陷引起，因此稱這類粒子為COP（晶體的原生粒子缺陷）。
據(jù)介紹直徑200 mm 硅片按SEMI要求：
256兆 ≥ 0.13 μm，＜10個/ 片，相當COP約40個。