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產(chǎn)品介紹

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1/2/3/4/5/6/8/12英寸單拋硅片雙拋硅片氧化硅片

氧化硅片

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到目前為止，我們有多家公司，多所高校、科研所的長期客戶。包括：TCL集團股份有限公司，京東方科技集團股份有限公司，深圳市華星光電技術(shù)有限公司，武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，應(yīng)用材料（中國）有限公司，鵬翔飛控作動系統(tǒng)（西安）有限責(zé)任公司，廣東美的制冷設(shè)備有限公司，馬鞍山太時芯科技有限公司，山東科芯電子有限公司，湖南湘標新材料科技有限公司，北京嘉仕濤科技有限公司，蘇州甫一電子科技有限公司，營口尚能光電材料有限公司，上海東貝真空設(shè)備有限公司，北京世紀金光半導(dǎo)體有限公司，杭州纖納光電科技有限公司，蘇州愛彼光電材料有限公司，江西冠能光電材料有限公司，福建中科芯光電科技有限公司，蘇州原位芯片科技有限公司，洛陽市鼎晶電子材料有限公司，深圳市化試科技有限公司，清華大學(xué)，上海交通大學(xué)，哈爾濱工業(yè)大學(xué)，西安交通大學(xué)，中山大學(xué)，華中科技大學(xué)，廈門大學(xué)，北京航空航天大學(xué)，吉林大學(xué)，北京工業(yè)大學(xué)，蘇州大學(xué)，上?？萍即髮W(xué)，黑龍江大學(xué)，中北大學(xué)等眾多的公司、高校和科研所。 如果有其他產(chǎn)品需要重新設(shè)計，請聯(lián)系張生，手機號碼18948798140，我們竭誠為您服務(wù)。<img src="http://prof55eea.pic48.websiteonline.cn/upload/20200214_085712_001.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://prof55eea.pic48.websiteonline.cn/upload/20200214_085712_000.jpg" width="750" height="750" style=""/><img src="http://prof55eea.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2BFX3XljTBKNjSZFNXXasFXXa_!!3086514896.jpg" width="750" height="750" style=""/>
1 2 3 4 6 8英寸二氧化硅片

氧化硅片

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熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過程稱為熱氧化。通常生長熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長方法。熱氧化物是一種生長的氧化物層。相對于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強度。這是一個極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以保護硅片。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。 可根據(jù)客戶科研和實際需要定制加工發(fā)貨！ 二氧化硅片，氧化硅層厚度一般是300nm，特殊厚度需要定制，請周知！型號：摻雜類型 N/P磷、砷、硼  晶向：<111><100><110>  電阻率：0.001-20000(Ω·cm) 平整度STIR：<1μm 翹曲度TTV：<3μm 彎曲的BOW：<5μm 粗糙度Ra：<0.5nm 顆粒度pewaferr：<10顆 (forsize>0.3μm) 包裝方式：1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無塵鋁箔真空封裝； 現(xiàn)有庫存厚度μm：雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供。 用途介紹：用于高校、科研所、高科技公司實驗室用于同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測試基底、分子束外延生長的基底、X射線分析晶體、TFT薄膜晶體管基底、納米壓印襯底，二維材料襯底等。<img src="http://prof55eea.pic48.websiteonline.cn/upload/TB2BFX3XljTBKNjSZFNXXasFXXa_!!3086514896.jpg" width="750" height="750"/>

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