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熱氧化物表面形成二氧化硅層。在氧化劑的存在下在升高的溫度下，給過(guò)程稱(chēng)為熱氧化。通常生長(zhǎng)熱氧化層的在水平管式爐中。溫度范圍控制在900到1200攝氏度，使用濕法或者干法的生長(zhǎng)方法。熱氧化物是一種生長(zhǎng)的氧化物層。相對(duì)于CVD法沉積的氧化物層，它具有較高的均勻性和更高的介電強(qiáng)度。這是一個(gè)極好的作為絕緣體的介電層。大多數(shù)硅為基礎(chǔ)的設(shè)備中，熱氧化層都扮演著非常重要的角色，以保護(hù)硅片。作為摻雜障礙和表面電介質(zhì)。

可根據(jù)客戶(hù)科研和實(shí)際需要定制加工發(fā)貨！
二氧化硅片，氧化硅層厚度一般是300nm，特殊厚度需要定制，請(qǐng)周知！

型號(hào)：摻雜類(lèi)型 N/P磷、砷、硼 
晶向：<111><100><110> 
電阻率：0.001-20000(Ω·cm)
平整度STIR：<1μm
翹曲度TTV：<3μm
彎曲的BOW：<5μm
粗糙度Ra：<0.5nm
顆粒度pewaferr：<10顆 (forsize>0.3μm)
包裝方式：1片包裝、5片包裝、10片封裝、25片封裝超潔凈無(wú)塵鋁箔真空封裝；
現(xiàn)有庫(kù)存厚度μm：雙拋200-2000μm、單拋150-5000μm之間各種厚度硅片均可提供。
用途介紹：用于高校、科研所、高科技公司實(shí)驗(yàn)室用于同步輻射樣品載體、PVD/CVD鍍膜做襯底、磁控濺射生長(zhǎng)樣品、XRD、SEM、原子力、紅外光譜、熒光光譜等分析測(cè)試 基底、分子束外延生長(zhǎng)的基底、X射線(xiàn)分析晶體、TFT薄膜晶體管基底、納米壓印襯底，二維材料襯底等。